DL0511P1 低电容静电防护二极管 DFN1006 封

固态硅雪崩技术瞬态电压抑制器二极管可防止过电压损坏敏感电子元件。由于采用了紧凑型封装，;瞬态电压抑制器二极管特别适用于便携式应用，如移动电话和移动电话附件、笔记本电脑、台式机和服务器。二极管还可用于带有激光二极管保护和模拟输入的应用。低电容瞬态电压抑制器二极管阵列

DL0511P1

低电容静电防护二极管 DFN1006 封装 5V 40W 2.5A 0.3PF

1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode

特性：

1. 符合RoHS与无卤要求

2. 低电容0.3pF VR = 0V, f = 1MHz

3. 低限制电压VC小于16V (8/20uS IPP=2.5A)

4. 低漏电流0.2 µA

5. 满足 61000-4-2 (ESD) ±25KV (air), ±20KV (contact)

用途：

1. 手机与配件

2. 穿戴设备

3. PCI express, SATA, USB 2.0,DVI, 显示端口

4. 汽车电子

包装方式：

10000/Tape & Reel 7 inch

丝印：6U

常用DFN1006封装ESD TVS

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