赛富乐斯、歌尔等4企公布Micro LED新专利

　　近期，赛富乐斯、歌尔科技、微玖(苏州)光电、润银星润光电等企业持续公示Micro LED相关专利进展。

　　其中，涉及量子点技术、激光剥离技术、全彩Micro-LED器件、红光Micro LED芯片结构及制备，可提升Micro LED良率、光效、分辨率、寿命等。

　　■ 赛富乐斯：2则Micro-LED专利进入审中公布阶段

　　7月22日，西安赛富乐斯半导体科技有限公司2则Micro LED专利进入审中公布阶段，具体如下。

　　1)“高效率量子点Micro-LED色彩转换层及其制备方法”：

　　本发明包括将外延片置于超净清洗设备中进行表面清洗及烘干处理;将处理后的外延片置于电化学腐蚀机的容置槽内，注入电解质溶液;在设定的电解质溶液温度下向外延片施加直流电压进行腐蚀;将腐蚀完的外延片转移至二次清洗槽进行超声清洗，得到具有目标形貌纳米孔结构的色彩转换层。

　　通过调整Si掺杂浓度以及电化学参数，实现了具有上窄下宽喇叭状形貌的纳米孔结构，不仅通过光学漏斗效应将出光效率大幅提升，还利用渐变孔径有效抑制了像素间串扰。更关键的是，纳米孔的底部宽口结构和梯度Si掺杂技术优化了热传导路径，显著改善了量子点在高温下工作的热稳定性。

　　2)“基于复合胶带临时键合的Micro-LED激光剥离方法”：

　　本发明包括将复合胶带平整粘贴于载体晶圆上;在器件晶圆表面涂敷保护性胶水进行粗化;将表面粗化后的器件晶圆与载体晶圆的复合胶带层进行贴合;将复合胶带层通过UV光进行曝光彻底固化;将固化后的器件晶圆复合胶带载体晶圆进行激光剥离。

　　通过将器件晶圆表面涂敷掺杂胶层进行表面形貌粗化，提高了嵌入复合胶带的深度，从而增加了复合胶带彻底固化后的摩擦力与附着力，解决了剥离失效、溶液清洗脱落等问题，提高了剥离良率。

　　■歌尔科技：2则Micro-LED专利进入审中公布阶段

　　1)“Micro-LED器件及其制备方法、头戴显示设备专利”：

　　该MicroLED器件包括依次堆叠设置的衬底、n型GaN层、多量子阱有源区层、p型GaN层以及p型电极层;贯穿衬底，延伸至n型GaN层的n型电极;其中，p型电极层包括在p型GaN层上图案化分布的多个p型电极单元，相邻两个p型电极层之间留有间隙;多量子阱有源区层为未被刻蚀的完整结构层;n型电极包括多个，每个n型电极正对一个p型电极层。

　　本申请在对MicroLED器件中的p型电极层进行图案化刻蚀，而多量子阱有源区层未被刻蚀破坏的基础上，实现各个不同发光像素点的独立发光控制功能，在很大程度上保证了MicroLED器件的工作性能。

　　2)“全彩Micro-LED器件及制备方法、头戴显示设备”：

　　该全彩MicroLED器件包括：依次堆叠设置的驱动背板、蓝光LED外延片、第一光转换层和第二光转换层;第一光转换层和第二光转换层均为完整结构层;在第二光转换层背离第一光转换层的表面上包括多个设置有滤光片的光线输出区域;每个光线输出区域上的滤光片为红光滤光片、蓝光滤光片或绿光滤光片中的一种滤光片;第一光转换层和第二光转换层中一种为绿色光转层另一种为红色光转换层。

　　本申请的绿色光转换层和红色光转换层堆叠设置且无需刻蚀，降低光转换层加工难度，利用滤光片实现三种不同颜色光线分区域输出，保证全彩MicroLED器件的高分辨率。

　　■ 微玖(苏州)光电：2则AlGaInP红光MicroLED芯片专利有新进展

　　近日，微玖(苏州)光电科技有限公司两则AlGaInP红光MicroLED芯片相关专利有新进展。

　　首先，“一种改善AlGaInP红光MicroLED芯片光电性能的方法”的发明专利进入有效授权阶段。

　　本申请包括如下步骤：S1，衬底预处理与缓冲层生长;S2，刻蚀阻挡层生长;S3,绝缘膜层制备与图形化;S4,n型GaN/InGaN欧姆接触层生长;S5,外延片结构生长：在欧姆接触层上依次外延生长多种功能层;S6，芯片工艺处理：对外延片进行一系列芯片工艺处理;

　　本申请的n型GaN(InGaN)高掺杂浓度及低接触电阻率，使芯片串联电阻较传统方案降低30%50%，功耗同步下降;避免GaAs材料吸光及金属层遮光，结合微透镜阵列，光输出功率提升25%以上，光提取效率(LEE)提高30%50%;低电阻减少焦耳热，工作温度降低1015℃，缓解热致亮度衰减，延长器件寿命。

　　其次，“一种改善AlGaInP红光MicroLED芯片散热性能的方法”的发明专利进入审中公布阶段。

　　本申请包括如下步骤：S1，外延结构制备：衬底与缓冲层处理、刻蚀阻挡层与欧姆接触层生长、功能层堆叠外延;S2，硅基衬底图形化：介质层与金属结构制备;S3,金刚石欧姆接触层集成：p型导电金刚石膜层加工、金属反射与键合;S4,衬底去除与n型结构形成：衬底剥离与n型接触;S5,后段工艺集成：电极与光学结构制备;本申请的芯片散热性能显著提升;串联电阻降低30%50%;p/n型金刚石欧姆接触层电阻率较ITO降低12个数量级;避免了GaAs材料吸光与金属遮光，结合微透镜阵列，红光透过率从75%提升至90%以上;兼容现有MOCVD、CVD及光刻工艺，可实现212寸晶圆规模化生产，降低制造成本。

　　■ 润银星润光电：一种基于Micro-LED的聚光式微显示器

　　近日，深圳市润银星润光电科技股份有限公司一种基于Micro-LED的聚光式微显示器进入审中公布阶段。

　　本发明所述显示器和方法所得到的显示器包括硅基，像素驱动电路，微型化的micro LED阵列，以及分布式聚光单元，其中，所述阵列中的每个像素单元，从下向上依次为包括单晶硅层的硅基、包括CMOS像素驱动电路层的像素驱动电路、平整层、电极层、RGB micro LED层，石墨烯防眩防护层，以及分布式聚光单元，所述分布式聚光单元包括与每一个像素一一对应的微单元。

　　所述显示器实现了相同用电功率下的更明亮的观感，以低成本地节省了用电需求。