Mini/Micro LED显示机会何在？华灿光电已取得实质性进展

　　随着市场对于显示的需求不断迈向更高层次，追求视觉效果的真实性变得越发重要。未来4K、8K LED高清屏的市场需求将会进入爆发期，以小间距显示、Mini LED和Micro LED为代表的新型显示正迎来新的技术拐点，技术的革新就意味着产业有机会重新改写游戏规则、重塑显示领域竞争格局。

　　作为国内LED芯片领域龙头的华灿光电在Mini/Micro LED领域已布局良久，并取得了实质性的进展。

　　据了解，华灿光电的Mini-LED以及Micro-LED产品在外延和芯片工艺方面进行了全方位优化，已经取得了多项技术突破和发明专利。

　　此前的9月，华灿光电在深圳举行了Mini-LED新品发布暨微显示战略合作签约仪式。

　　华灿光电相关负责人表示，LED自发光显示微缩化的核心就是Mini/Micro-LED芯片，华灿光电Mini-LED新品拥有着众多华灿特有的技术特点，可以满足下游客户的需求。

　　在Mini RGB LED芯片技术优化方面，华灿光电设计了高可靠性、高亮度的DBR倒装芯片结构。通过优化PV和Mesa刻蚀工艺，使金属连接层平滑覆盖;优化了电极结构和金属沉积工艺，设计出高可靠性的电极;并且，通过特有的混编技术，可以消除COB应用情况下的Mura效应。

　　同时，随着芯片尺寸的持续减小，免锡膏封装芯片方案将成为提高良率、降低成本的关键，对此华灿光电已实现了将锡球直接制作在Mini-LED芯片电极上的技术应用。在红光Mini LED芯片技术方面，华灿开发出高键合良率的转移和键合工艺;并设计了顶伤防护层，优化材料沉积工艺，增强膜质，保证无外延顶伤风险。

　　在背光Mini LED芯片技术方面，华灿光电优化了膜层结构设计，调节芯片出光，更易实现超薄设计。

　　而在Micro-LED芯片方面，华灿光电在Sub微米级的工艺线宽控制、芯片侧面漏电保护、衬底剥离技术(批量芯片转移)、阵列键合技术(阵列转移键合)、Micro LED的光形与取光调控方面取得了较好的结果。目前所获得的的芯片良率可以达到5个9的水平，红光Micro LED效率也到达了国际领先水平，并针对不同转移方式，可以提供多种形式的Micro LED样品。

　　“小间距显示技术已经非常成熟，第三代小间距产品即将面世，Mini LED 倒装RGB芯片技术已经可以量产，Mini LED 背光芯片技术趋于成熟。”华灿光电副总裁李鹏认为，Micro LED目前处在开发当中，需要上中下游联合开发。

　　李鹏表示，Micro LED显示将应用于电视、手机、AR/VR，车载显示、可穿戴电子、数字显示(商业广告与显示等)。

　　据了解，华灿将适时推出Micro LED显示的所有芯片解决方案。